- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDB14AN06LA0_F085 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB14AN06LA0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 67A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 67A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDP14AN06LA0 2 1 3 ;
Ca 12 8 1.8e-9
Cb 15 14 1.8e-9
rev January 2004
LDRAIN
Cin 6 8 3e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
DPLCAP
10
RSLC2
5
RSLC1
51
DBREAK
RLDRAIN
DRAIN
2
Ebreak 11 7 17 18 64.8
5
51
ESLC
11
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
DBODY
Lgate 1 9 7.4e-9
Ldrain 2 5 1.00e-9
Lsource 3 7 3e-9
CIN
8
RSOURCE
7
LSOURCE
SOURCE
3
RLSOURCE
RLgate 1 9 74
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 30
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
CA
S1B
13
+
EGS
6
8
S2B
CB
+
EDS
5
8
14
IT
RVTEMP
19
-
VBAT
+
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 4.1e-3
-
-
8
22
Rgate 9 20 2.7
RVTHRES
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 4e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*200),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=1.7e-11 RS=2.8e-3 N=1.05 TRS1=1.5e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=1e-9 TT=1.9e-8 M=0.58 IKF=15.00 XTI=3)
.model dbreakmod d (RS=1e-1 TRS1=1.12e-3 TRS2=1.25e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=8e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.57)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=1.96 KP=8 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.42 KP=105 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.6 KP=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=27 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=9.2e-4 TC2=-3.55e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1e-2 TC2=3e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.8e-3 TC2=1e-7)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.0e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-2.7e-3 TC2=-9.5e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.3e-3 TC2=1.5e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.5 VOFF=-0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=-2.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB14AN06LA0_F085 Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB14N30TM | MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK |
| FDB150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK |
| FDB15N50 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB |
| FDB2532_F085 | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK |
| FDB2614 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB14N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:300V N-Channel MOSFET |
| FDB14N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB150N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 功能描述:MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。