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参数资料
| 型号： | FDB15N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 380 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB15N50DKR |
Typical Characteristics
30
100
T C = 25 o C
25
20
10
100μs
1ms
15
T J = 175 o C
T J = 25 o C
10
5
0
1.0
0.1
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(ON)
10ms
DC
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
10
100
1000
V SD , SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage vs Body
Diode Current
16
12
8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
50
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
10
STARTING T J = 25 o C
4
STARTING T J = 150 o C
0
25
50
75
100
125
150
175
1
0.01
0.1
1
10
50
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
o
Figure 9. Maximum Drain Current vs Case
Temperature
10 0
0.50
0.20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 10. Unclamped Inductive Switching
Capability
10 -1
0.10
P D
t 1
0.05
0.02
t 2
DUTY FACTOR, D = t 1 / t 2
10 -2 -5
10
0.01
SINGLE PULSE
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PEAK T J = (PD X Z θ JC X R θ JC ) + T C
10 0 10 1
t 1 , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB15N50 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2532_F085 | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK |
| FDB2614 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| FDB28N30TM | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
| FDB15N50_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDB-15PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
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| FDB16AN08A0 | 功能描述:MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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