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参数资料
| 型号： | FDB15N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 380 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB15N50DKR |
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 12. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 13. Unclamped Energy Waveforms
V GS
V DS
R L
+
-
V DD
V DD
V GS
Q g(TOT)
V DS
V GS = 10V
DUT
V GS = 1V
I g(REF)
0
I g(REF)
0
Q g(TH)
Q gs
Q gd
Figure 14. Gate Charge Test Circuit
Figure 15. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
Figure 16. Switching Time Test Circuit
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 17. Switching Time Waveform
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB15N50 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2532_F085 | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK |
| FDB2614 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| FDB28N30TM | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB15N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 500V 15A TO-263 |
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