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参数资料
型号： FDB2614
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
标准包装： 1
系列： PowerTrench®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 27 毫欧 @ 31A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 99nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 7230pF @ 25V
功率 - 最大： 260W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： D²PAK
包装： 标准包装
产品目录页面： 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称： FDB2614DKR
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDB2614
Device
FDB2614
Package
D 2 -PAK
Reel Size
330 mm
Tape Width
24 mm
Quantity
800 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
/ Δ T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0V, I D = 250 μ A, T J = 25 ° C
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
V DS = 200V, V GS = 0V
V DS = 200V, V GS = 0V, T J = 125 ° C
V GS = 30V, V DS = 0V
V GS = -30V, V DS = 0V
200
--
--
--
--
--
--
0.2
--
--
--
--
--
--
1
500
100
-100
V
V/ ° C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10V, I D = 31A
V DS = 10V, I D = 31A
3.0
--
--
4.0
22.9
72
5.0
27
--
V
m Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25V, V GS = 0V
f = 1.0MHz
--
--
--
5435
505
110
7230
675
165
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 100V, I D = 62A
V GS = 10V, R GEN = 25 Ω
V DS = 100V, I D = 62A
V GS = 10V
(Note 4)
(Note 4)
--
--
--
--
--
--
--
77
284
103
162
76
35
18
165
560
220
335
99
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
62
186
A
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = 62A
V GS = 0V, I S = 62A
dI F /dt =100A/ μ s
--
--
--
--
145
0.81
1.2
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 1mH, I AS = 17A, V DD = 50V, R G = 25 Ω , Starting T J = 25 ° C
3. I SD ≤ 62A, di/dt ≤ 100A/ μ s, V DD ≤ BV DSS , Starting T J = 25 ° C
4. Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2614 Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
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FDB2710 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FDB-3 功能描述:化学物质 CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube
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