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参数资料
| 型号： | FDB2614 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 99nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2614DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs.
Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation vs. Tem-
perature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0V
0.5
* Notes :
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
-50 0 50 100
2. I D = 250 μ A
o
150
0.0
-100
2. I D = 31A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case-
Temperature
1000
70
100
10
100 μ s
1ms
10 ms
60
50
40
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
* Notes :
DC
30
20
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
o
o
10
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
400
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
10
0
0.5
10
-1
0.2
0.1
P DM
10
-2
0.05
0.02
0.01
* Notes :
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.48 C/W Max.
o
Single pulse
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
- 3
10
- 5
10
-4
-3
10
-2
-1
0
10
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2614 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| FDB28N30TM | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
| FDB3652_F085 | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK |
| FDB3672_F085 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB2670 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDB-3 | 功能描述:化学物质 CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube |
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