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参数资料
| 型号： | FDB2614 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 99nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2614DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
100
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
1000
* Notes :
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
150 C
-55 C
10
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
100
10
o
o
25 C
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
o
10
1
2
4
6
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage Varia-
tion vs. Source Current and Temperature
* Note : T J = 25 C
0.06
o
1000
* Notes :
1. V GS = 0V
T A = 150 C
0.05
100
2. I D = 250 μ A
o
T A = 25 C
0.04
0.03
V GS = 10V
10
o
V GS = 20V
0.02
0.015
0
50 100 150
200
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
9000
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
10
6000
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
C oss
6
3000
C rss
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
30
0
0
2 0
* Note : I D = 62A
40 6 0 80
Q g , Total Gate Charge [nC]
100
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2614 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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