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参数资料
| 型号： | FDB2614 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 99nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2614DKR |
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee Ty ype
as DUT
V GS
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
I G = const.
Char rge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
on)
t d(on )
t on
t r
t d(oof f )
t ofofff
t f
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = - -- - L I AS 2 --------------------
2 BV DS S - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
I D (t)
DSS
V GS
t p
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2614 Rev. C 1
DUT
5
V DD
t p
V DS (t)
me
Tim
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2710 | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| FDB28N30TM | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
| FDB3652_F085 | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK |
| FDB3672_F085 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB2670 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB28N30 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDB28N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB-3 | 功能描述:化学物质 CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 产品:Adhesives 类型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外壳:Plastic Tube |
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