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参数资料
| 型号： | FDB28N30TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 129 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB28N30TMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
V GS = 10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6V
100
150 C
-55 C
10
5.5 V
10
o
o
25 C
o
1
2. T C = 25 C
1
0.5
0.4
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
0.1
2
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6 8
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.30
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
150 C
100
0.25
o
25 C
0.20
0.15
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
Notes:
* Note : T J = 25 C
0.10
0
25 50
o
75
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
2.0
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4500
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
10
V DS = 60V
3000
1500
C oss
C iss
C rss
Crss = Cgd
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
8
6
4
2
V DS = 150V
V DS = 240V
10
10
10
0
-1
0
1
30
0
0
8
*Note: I D = 28A
16 24 32 40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB28N30 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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