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参数资料
| 型号： | FDB28N30TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 129 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB28N30TMDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 14A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
100
10
10 μ s
100 μ s
1ms
10ms
30
25
20
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
15
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
* Notes :
o
o
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
500
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
1. Z θ JC (t) = 0.5 C/W Max.
0.01
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
0
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB28N30 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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