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参数资料
| 型号： | FDB28N30TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 129 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB28N30TMDKR |
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB28N30 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB3502 | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
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| FDB3672_F085 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| FDB3860 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| FDB390N15A | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDB3015L | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:TYPE FDB, 3 POLE, 15A TRIP, 600V CLASS, LINE AND LOAD |
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