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参数资料
| 型号： | FDB4020P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 16 A, 20 V, 0.08 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | FDB4020P |
TO-220 (FS PKG Code 37)
TO-220 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 1.4378
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP42AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB42AN15A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDP51N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP52N20 | 200V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB4025 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
| FDB4030L | 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB4100 | 制造商:Eaton Corporation 功能描述:FDB 40C BKR |
| FDB42AN15A0 | 功能描述:MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB42AN15A0_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET |
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