型号: | FDB5645 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 60V N-Channel PowerTrench MOSFET(N沟道PowerTrench MOS场效应管) |
中文描述: | 83 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封装: | D2PAK-3 |
文件页数: | 4/10页 |
文件大小: | 422K |
代理商: | FDB5645 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDP5800 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDP5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
FDPF5N50 | N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
FDP6030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
FDP61N20 | 200V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDB5680 | 功能描述:MOSFET USE 512-FDB20AN06A0 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB5686 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
FDB5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |