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参数资料
| 型号： | FDB86102LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1275pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
5
30
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3 V
20
V GS = 3 V
3
V GS = 3.5 V
2
10
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
100
2.0
1.8
I D = 8.3 A
V GS = 10 V
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 8.3 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
60
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
3
4
5
6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
40
V DS = 5 V
30
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
100
V GS = 0 V
10
T J = 150 o C
1
T J = 25 o C
20
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
10
0
T J = -55
o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB86102LZ Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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