- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB86102LZ (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB86102LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1275pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 8.3 A
V DD = 25 V
10000
1000
C iss
6
V DD = 50 V
100
C oss
4
2
V DD = 75 V
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
5
10
15
20
1
0.1
1
10
100
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
40
-1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
-2
-3
V GS = 0 V
10
10
10
10
10
10
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
T J = 125 o C
-4
-5
-6
-7
-8
-9
T J = 125 o C
T J = 25 o C
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-10
0
3
6
9
12
15
18 21
24
27
30
33
40
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Cuurent vs Gate to
Source Voltage
100
30
V GS = 10 V
10
10 ms
20
V GS = 4.5 V
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
1s
10 s
SINGLE PULSE
DC
R θ JC = 1.9 C/W
10
0
o
0.1
0.01
T J = MAX RATED
R θ JC = 1.9 o C/W
T C = 25 o C
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 11. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB86102LZ Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB86135 | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| FDB8832 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8860_F085 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK |
| FDB8896 | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB86135 | 功能描述:MOSFET PWM PFC COMBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8832 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8832_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench?? MOSFET 30V, 80A, 2.1m?? |
| FDB8832_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。