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参数资料
| 型号： | FDB86102LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 8.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1275pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
R θ JC = 1.9 C/W
T C = 25 C
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
300
100
SINGLE PULSE
o
o
10
10
10
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
SINGLE PULSE
NOTES:
t 2
R θ JC = 1.9 C/W
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ J C x R θ J C + T C
10
10
0.1
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Junction-to-Case Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB86102LZ Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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