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参数资料
| 型号： | FDB86135 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
600
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
300
100
o
25 C
-55 C
2. T C = 25 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
o
o
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
2
1
0.02
0.1 1
10
2
3 4 5
6
150 C
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.0040
0.0035
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
o
25 C
V GS = 10V
o
0.0030
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.0025
0
60
120 180 240 300 360
o
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
Crss = Cgd
C iss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
8
6
V DS = 20V
V DS = 50V
V DS = 80V
5000
C oss
4
2
C rss
100
0.1
1 10
30
0
0
*Note: I D = 75A
30 60
90
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
FDB86135 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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