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参数资料
| 型号： | FDB86135 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.10
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.1
1.8
1.05
1.5
1.00
1.2
0.95
*Notes:
1. V GS = 0V
0.9
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.90
-100
2. I D = 10mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.6
-100
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3000
1000
100 μ s
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
200
150
100
1ms
10ms
100ms
100
10
Operation in This Area
DC
Limited by package
is Limited by R DS(on)
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
1
*Notes:
o
o
50
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.1
3. Single Pulse
1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
300
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Unclamped Inductive Switching Capability
100
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
o
STARTING T J = 25 C
10
o
STARTING T J = 150 C
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
FDB86135 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDB8832_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET |
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