- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB86135 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB86135 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 116nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7295pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
3
1
0 .5
0 .1
0 .2
0 .1
P DM
0 .0 5
0 .0 2
t 1
t 2
1 . Z θ J C (t) = 0 .6 6 C /W M a x .
0 .0 1
0 .0 1
S in g le p u ls e
*N o te s :
o
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
0 .0 0 1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
R e c ta n g u la r P u ls e D u r a tio n [s e c ]
FDB86135 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8832 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8860_F085 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8870_F085 | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK |
| FDB8896 | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB |
| FDC2512_F095 | MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8832 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8832_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench?? MOSFET 30V, 80A, 2.1m?? |
| FDB8832_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8860 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。