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参数资料
| 型号： | FDC6302P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC6302PDKR |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
8
25
I D = -0.2A
V DS = -5V
-10
15
6
-15
10
C iss
C oss
4
5
3
2
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
Crs s
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1
0.1
0.3
1
2
5
10
15
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics .
s
0.8
0.5
0.2
RD
S(
ON
)
LIM
IT
10
0m
10
s
1m
m
s
5
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.1
1s
DC
2
0.05
V GS = -2.7V
SINGLE PULSE
1
0.02
0.01
1
R θ JA =See Note 1b
T A = 25°C
2 5 10
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
40
0
0.01
0.1
1 10
SINGLE PULSE TIME (SEC)
100
300
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = See Note 1b
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
FDC6302P Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC6302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH DUAL 25V 0.12A SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P CH DUAL 25V 0.12A SSOT6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-200mA; Drain Source Voltage Vds:-25V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V ;RoHS Compliant: Yes |
| FDC6302P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL P MOSFET -25V -120mA SUPERSOT6 |
| FDC6302P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6303 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Digital FET, Dual N-Channel |
| FDC6303N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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