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参数资料
| 型号： | FDC6333C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 282pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6333CDKR |
Typical Characteristics: N-Channel (continued)
10
400
I D = 2.5A
V DS = 5V
10V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
15V
300
C ISS
6
200
4
2
0
100
0
C RSS
C OSS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10μs
4
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
100μs
1ms
10ms
3
1
100ms
V GS = 10V
SINGLE PULSE
1s
DC
2
0.1
R θ JA = 180 o C/W
T A = 25 o C
1
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
FDC6333C Rev C (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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