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参数资料
| 型号： | FDC6333C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A，2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 282pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6333CDKR |
Typical Characteristics: P-Channel (continued)
10
300
f = 1MHz
8
I D = -2.0A
V DS = -5V
-10V
250
V GS = 0 V
6
4
-15V
200
150
100
C OSS
C ISS
2
0
50
0
C RSS
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
10
R DS(ON) LIMIT
10μs
4
R θ JA = 180°C/W
T A = 25°C
100μs
1ms
10ms
3
1
100ms
V GS = 10V
SINGLE PULSE
1s
DC
2
0.1
R θ JA = 180 o C/W
T A = 25 o C
1
0.01
0.1
1
10
100
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 180°C/W
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC6333C Rev C (W)
相关PDF资料 |
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参数描述 |
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