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参数资料
| 型号： | FDC638APZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC638APZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
2.2
15
10
V GS = -3.0V
V GS = -3.5V
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
1.8
1.4
V GS = -2.0V
V GS = -2.5V
V GS = -3.5V
V GS = -3.0V
V GS = -2.0V
5
PULSE DURATION = 80 μ s
1.0
V GS = -1.5V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -4.5V
0
0
1 2 3
4
0.6
0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
5 10
15
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D =-4.5A
V GS = -4.5V
200
160
120
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 125 o C
1.0
0.8
80
40
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
0
1.5
I D = -2.2A T J = 25 o C
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
15
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = -5V
1
V GS = 0V
0.1
T J = 150 o C
10
0.01
T J = 25 o C
5
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.001
0
1.0
1.5
T J =
-55 o C
2.0
2.5
3.0
0.0001
0.0
T J = -55 o C
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDC638APZ Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDC638P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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