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参数资料
| 型号： | FDC638APZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC638APZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
5
2000
4
I D = -4.5A
V DD = -5V
1000
C iss
3
2
V DD = -10V
V DD = -15V
C oss
1
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4 6 8
10
12
70
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
1
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
0.1
0.01
V GS = 0V
T J = 150 o C
10
r DS(on) LIMIT
10us
100us
1ms
1E-3
1
10ms
100ms
1E-4
T J = 25 o C
0.1
SINGLE PULSE
1s
1E-5
0
5 10 15
20
0.01
0.1
1
TJ = MAX RATED
TA = 25 O C
10
DC
50
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
R θ JA = 156 C/W
T A =25 C
P DM
50
40
30
SINGLE PULSE
o
o
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
20
10
SINGLE PULSE
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
t 1
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
-3
-2
-1
0
1
2
0.001
-4
-3
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
-2 -1 0 1
2
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di ssipation
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
FDC638APZ Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC638P | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC638H | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| FDC638P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC638P_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
| FDC638P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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