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参数资料
| 型号： | FDC640P_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 53 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 890pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
15
V GS = -4.5V
3
12
-3.5V
-3.0V
-2.5V
2.5
V GS = -2.0V
9
6
2
1.5
-2.5V
3
-2.0V
1
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
0
3
6
9
12
15
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.5
0.16
I D = -2.25 A
1.4
1.3
1.2
1.1
I D = -4.5 A
V GS = -4.5 V
0.14
0.12
0.1
T A = 125 o C
0.08
1
0.9
0.8
0.7
0.06
0.04
0.02
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
12
10
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
125 o C
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
8
6
0.1
25 o C
-55 o C
0.01
4
0.001
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC640P Rev E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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