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参数资料
| 型号： | FDC653N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Electrical And Thermal Characteristics
10
1000
8
6
I D = 5.0A
V DS = 5V
15V
10V
500
200
C iss
C oss
4
2
100
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
50
0.1
0.3
1
3
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
30
5
Figure 8. Capacitance Characteristics .
1m
10m
10
3
1
RD
S(
ON
)
LIM
IT
1 0 0 m
s
s
s
1 0 0
us
4
3
SINGLE PULSE
R θ JA =See note 1b
T A = 25°C
0.3
0.1
0.03
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R θ JA = See Note 1b
T A = 25°C
1s
DC
2
1
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
0
0.01
0.1
1
10
100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
0.2
0.1
0.2
0.1
P(pk)
R θ JA = See Note 1b
0.05
0.05
0.02
t 1
t 2
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve .
Note: Thermal characterization performed using the conditions described in note 1b.Transient thermal
response will change depending on the circuit board design.
FDC653N Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDC654P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC654P_G | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MOSFET, -30V/3.6A, SSOT6 (Halogen Free) |
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