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参数资料
| 型号： | FDC658AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC658APDKR |
November 20 11
FDC658AP
Single P-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
-30V, -4A, 50m :
General Description
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using
Fairchild's advanced PowerTrench process. It has been
optimized for battery power management applications.
Applications
? Battery management
? Load switch
? Battery protection
? DC/DC conversion
Features
? Max r DS(on) = 50 m : @ V GS = -10 V, I D = -4A
? Max r DS(on) = 75 m : @ V GS = -4.5 V, I D = -3.4A
? Low Gate Charge
? High performance trench technology for extremely low
r DS(on)
? RoHS Compliant
D
D
S
1
6
PIN 1
G
D
D
SuperSOT TM -6
2
3
5
4
Absolute Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
-30
r 25
Units
V
V
I D
P D
T J , T STG
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Maximum Power dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
-4
-20
1.6
0.8
-55 to +150
A
W
°C
Thermal Characteristics
R T JA
R T JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.58A
Device
FDC658AP
Reel Size
7inch
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC658AP Rev. B 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC658P | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC658P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 50 MO SSOT6 |
| FDC658P-NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC6901L | 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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