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参数资料
| 型号： | FDC855N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC855NDKR |
January 2008
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDC855N
30V, 6.1A, 27m ?
?
tm
Features
Max r DS(on) = 27m ? at V GS = 10V, I D = 6.1A
Max r DS(on) = 36m ? at V GS = 4.5V, I D = 5.3A
SuperSOT TM -6 package: small footprint (72% smaller than
standard SO-8; low profile (1mm thick).
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is an efficient solution for
low voltage and battery powered applications. Utilizing Fairchild
Semiconductor’s advanced PowerTrench ? process, this device
possesses minimized on-state resistance to optimize the power
consumption. They are ideal for applications where in-line power
loss is critical.
Application
Power Management in Notebook, Hard Disk Drive
D
S
D
D
D
D
D
SuperSOT TM -6
G
D
D
G
S
Pin 1
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
Drain Current -Continuous
-Pulsed
T A = 25°C
(Note 1a)
6.1
20
A
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
(Steady State)
(Steady State)
(Note 1a)
(Note 1b)
1.6
0.8
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
30
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.855
Device
FDC855N
Package
SuperSOT-6
Reel Size
7”
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC855N Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDC8602 | 功能描述:MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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