参数资料
型号: FDC855N
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT
产品变化通告: Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图: MOSFET SuperSOT-6
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫欧 @ 6.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 655pF @ 15V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-SSOT
包装: 标准包装
产品目录页面: 1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDC855NDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC855N Rev.C
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
FDC8601 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC8602 功能描述:MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC86244 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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