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参数资料
| 型号： | FDC855N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 6.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC855NDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
4.0
3.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
12
8
V GS = 10V
V GS = 6V
V GS = 3.5V
3.0
2.5
2.0
V GS = 3.5V
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
1.5
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.0
V GS = 6V
V GS = 10V
0
0.5
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
I D = 6.1A
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
60
PULSE DURATION = 300 μ s
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
50
40
30
DUTY CYCLE = 2%MAX
I D = 6.1A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
20
3
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
16
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 10V
10
1
V GS = 0V
12
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
4
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J
= -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC855N Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
| FDC8878 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC8601 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC8602 | 功能描述:MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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