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参数资料
| 型号： | FDC658AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC658APDKR |
Typical Characteristics
10
600
I D = -4A
V DS = -5V
-10V
C iss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
8
-15V
450
6
300
4
2
150
C rss
C oss
0
0
0
2
4
6
8
10
0
6
12
18
24
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
10
SINGLE PULSE
10
r DS(on) LIMIT
100us
8
R JA = 156°C/W
T A = 25°C
1ms
6
1
10ms
V GS = -10V
100ms
4
0.1
SINGLE PULSE
R JA = 156 o C/W
1s
2
T A = 25 C
0.01
o
DC
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
1
R JA = 156 C/W
D = 0.5
0.2
R JA (t) = r(t) x R JA
o
0.1
0.1
0.05
0.02
P(pk)
t 1
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 2
T J - T A = P x R JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC658AP Rev. B 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC658P | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC658P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 50 MO SSOT6 |
| FDC658P-NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC6901L | 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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