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参数资料
| 型号： | FDC658AP |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SGL LL 30V 4A SSOT6 |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 470pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC658APDKR |
Typical Characteristics
20
2
V GS = -10V
-6.0V
-5.0V
-4.5V
1.8
15
-4.0V
1.6
V GS = -4.5V
-5.0V
10
-3.5V
1.4
-6.0V
5
-3.0V
1.2
1
-7.0V
-8.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
T J = 25 C
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
I D = -4.0A
V GS = -10V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
0.22
I D = -2.0A
0.18
0.14
T J = 125 o C
0.1
o
0.06
0.02
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. Normalized On-Resistance vs Junction
Temperature
15
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
10
T J = -55 C
25 C
V DS = -5V
o
o
V GS = 0V
125 C
T J = 125 C
12
9
o
1
0.1
o
25 C
-55 C
6
3
0
0.01
0.001
0.0001
o
o
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
FDC658AP Rev. B 1
3
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward Voltage
vs Source Current
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC658P | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC658P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 50 MO SSOT6 |
| FDC658P-NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC6901L | 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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