- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC658P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC658P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics
20
V GS = -10V
-6.0V
2
16
-4.5V
-4.0V
1.8
V GS = -4.0 V
1.6
12
-4.5V
8
-3.5V
1.4
1.2
-5.0V
-6.0V
4
-3.0V
1
-8.0V
-10.0V
0
0
1
2
3
4
0.8
0
4
8
12
16
20
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
I D = -4A
V GS = -10V
0.16
0.12
I D = -2A
1.2
1
0.08
T J = 125°C
0.8
0.04
T J = 25°C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
16
V DS = -5V
T J = -55°C
125°C
20
10
1
V GS = 0V
T J = 125°C
25°C
12
8
4
0.1
0.01
0.001
25°C
-55°C
0
1
2
3
4
5
6
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC658P Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC855N | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT |
| FDC8601 | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
| FDC8878 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC658P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-CH. FET 50 MO SSOT6 |
| FDC658P-NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDC6901L | 功能描述:MOSFET Integ. Load Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6901L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。