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参数资料
| 型号： | FDC8602 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC8602DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
500
8
I D = 1.2 A
V DD = 50 V
C iss
6
V DD = 25 V
V DD = 75 V
10
C oss
4
1
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
2
1
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
T J = 100 o C
1
THIS AREA IS
100 us
1 ms
T J = 125 o C
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 180 o C/W
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
0.1
1
10
0.01
0.005
0.1
T A = 25 o C
1
10
10 s
DC
100
400
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
100
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
R θ JA = 180 C/W
T A = 25 C
o
o
10
1
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8602 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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