收藏本站
参数资料
型号： FDC8602
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT
标准包装： 1
系列： PowerTrench®
FET 型： 2 个 N 沟道（双）
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 1.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 350 毫欧 @ 1.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 70pF @ 50V
功率 - 最大： 690mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商设备封装： 6-SSOT
包装： 标准包装
其它名称： FDC8602DKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8602 Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDC86244 MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
FDC8878 MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT
FDC8884 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
FDC8886 MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT
FDD050N03B MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
相关代理商/技术参数
参数描述
FDC86244 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC87W23 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral (Multifunction) Controller
FDC8878 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC8884 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDC8886 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*