- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDC8602 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC8602 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC8602DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
P DM
t 1
t 2
R θ JA = 180 C/W
0.01
o
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.005
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 12. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8602 Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
| FDC8878 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT |
| FDC8884 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| FDC8886 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| FDD050N03B | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC87W23 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral (Multifunction) Controller |
| FDC8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC8886 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。