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参数资料
| 型号： | FDC8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
500
8
I D = 6.5 A
V DD = 10 V
C iss
V DD = 15 V
6
100
C oss
V DD = 20 V
4
2
f = 1 MHz
0
0
1
2
3
4
5
6
V GS = 0 V
10
0.1
1
10
C rss
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
6
T J = 25 o C
5
8
6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
4
3
T J = 100 o C
4
V GS = 4.5 V
R θ JA = 78 C/W
2
T J = 125 o C
2
o
1
0.01
0.1
1
5
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
30
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
200
10
1
100 μ s
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 175 o C/W
T A = 25 o C
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1 ms
10 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 175 o C/W
T A = 25 o C
100 ms
1s
10 s
DC
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8884 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC8886 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC8886 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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