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参数资料
| 型号： | FDD3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3682DKR |
SPICE Thermal Model
REV 20 Jun 2002
FDD3682_JC TH TL
CTHERM1 TH 6 1.6e-3
CTHERM2 6 5 4.5e-3
CTHERM3 5 4 5.0e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 8.0e-3
CTHERM5 3 2 8.2e-3
CTHERM6 2 TL 4.7e-2
6
RTHERM1 TH 6 3.3e-2
RTHERM2 6 5 7.9e-2
RTHERM3 5 4 9.5e-2
RTHERM4 4 3 1.4e-1
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 2.9e-1
RTHERM6 2 TL 6.7e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDD3682
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1.6e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =4.5e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =5.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =8.0e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.2e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =4.7e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.3e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =7.9e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =9.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =1.4e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =2.9e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =6.7e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
FDD3682 Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDD3682 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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