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参数资料
| 型号： | FDD3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3682DKR |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.0
1.1
0.8
1.0
0.6
0.4
0.9
-80
-40
0
40
80
120
160
200
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
1000
C ISS = C GS + C GD
8
V DD = 50V
C OSS ? C DS + C GD
6
100
C RSS = C GD
4
V GS = 0V, f = 1MHz
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 32A
I D = 16A
20
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
FDD3682 Rev. B
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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