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参数资料
| 型号： | FDD3682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 32A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 95W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD3682DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD3682 2 1 3 ;
Ca 12 8 4e-10
rev Jun 2002
Cb 15 14 6e-10
Cin 6 8 1.22e-9
DPLCAP
5
LDRAIN
DRAIN
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 112
10
RSLC2
RSLC1
51
5
ESLC
51
DBREAK
11
RLDRAIN
2
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 4.88e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 2.24e-9
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
RLgate 1 9 48.8
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 22.4
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
RSOURCE
RBREAK
17
RLSOURCE
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 10.5e-3
Rgate 9 20 1.8
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1.0e-6
RSLC2 5 50 1.0e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 11.9e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*70),2.5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-12 RS=4.4e-3 TRS1=2.0e-3 TRS2=4.5e-7
+ CJO=9e-10 M=0.58 TT=2.9e-8 XTI=4.0)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.6 TRS1=1.4e-3 TRS2=-5.0e-5)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=2.75e-10 IS=1.0e-30 N=10 M=0.56)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.16 KP=32 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.48 KP=2.7 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.8)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.96 KP=0.068 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=18 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-1.1e-8)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.5e-2 TC2=4e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3.0e-3 TC2=2.9e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-3.9e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-3.5e-3 TC2=1.3e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-5.0 VOFF=-2.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.0 VOFF=-5.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.4 VOFF=0.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.3 VOFF=-0.4)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3682 Rev. B
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDD3682 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDD3682 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SMD TO-252AA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, SMD, TO-252AA |
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