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参数资料
| 型号： | FDD3N50NZTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
10
150 C
-55 C
1
5.5 V
1
o
o
25 C
o
2. T C = 25 C
0.1
0.03
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
25
0.1
3
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
9
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
5.6
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
20
10
4.8
150 C
25 C
4.0
o
o
3.2
2.4
V GS = 10V
V GS = 20V
1
*Notes:
*Note: T C = 25 C
1.6
0
2 4
I D , Drain Current [A]
o
6
0.1
0.3
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.9 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.5
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
400
300
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C iss
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
200
4
100
*Note:
C oss
2
1. V GS = 0V
0
0.1
2. f = 1MHz
1 10
C rss
30
0
0
2 4
*Note: I D = 2.5A
6
7
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3N50NZ Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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