- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD5353 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD5353 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 10.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3215pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5353DKR |
March 2013
FDD5353
N-Channel Power Trench ? MOSFET
60V, 50A, 12.3m Ω
Features
Max r DS(on) = 12.3m Ω at V GS = 10V, I D = 10.7A
Max r DS(on) = 15.4m Ω at V GS = 4.5V, I D = 9.5A
100% UIL Tested
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
Application
Inverter
Synchronous rectifier
Primary switch
D
D
G
D T O -2 A 52
S
-P K
G
(T O -252)
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
Parameter
T C = 25°C
Ratings
60
±20
50
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1a)
11.5
A
-Pulsed
100
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
253
mJ
P D
Power Dissipation
Power Dissipation
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
69
3.1
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
1.8
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD5353
Device
FDD5353
Package
D-PAK (TO-252)
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5353 Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5612 | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
| FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| FDD5670 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK |
| FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| FDD5690 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5505C | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD5612 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD5614P | 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。