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参数资料
| 型号： | FDD5614P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 759pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5614PDKR |
May 2005
FDD5614P
60V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high
voltage PowerTrench process. It has been optimized
for power management applications.
Applications
? DC/DC converter
? Power management
? Load switch
Features
? –15 A, –60 V. R DS(ON) = 100 m ? @ V GS = –10 V
R DS(ON) = 130 m ? @ V GS = –4.5 V
? Fast switching speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability
S
D
G
S
TO-252
G
D
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–60
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 3)
– 15
A
– Pulsed
(Note 1a)
– 45
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1)
42
W
(Note 1a)
(Note 1b)
3.8
1.6
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
– 55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
3.5
40
96
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD5614P
Device
FDD5614P
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5614P Rev C1(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5670 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK |
| FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| FDD5690 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
| FDD5N50NZFTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDD5N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P D-PAK |
| FDD5614P_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDD5614P-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDD5614P Series 60 V 100 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet TO-252 |
| FDD5670 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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