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参数资料
| 型号： | FDD5353 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 10.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3215pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5353DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
R θ JC = 1.8 C/W
0.001
5E-4
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ Jc x R θ Jc + T C
10
10
10
10
10
10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P DM
R θ JA = 96 C/W
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
o
( Note 1b )
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.0001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5353 Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5612 | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
| FDD5614P | MOSFET P-CH 60V 15A DPAK |
| FDD5670 | MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK |
| FDD5680 | MOSFET N-CH 60V 8.5A D-PAK |
| FDD5690 | MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5505C | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD5612 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD5614P | 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
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