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参数资料
| 型号： | FDD5353 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 10.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3215pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5353DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
10000
I D = 10.7A
V DD = 20V
C iss
8
1000
6
4
V DD = 30V
C oss
2
0
V DD = 40V
100
10
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
60
50
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10V
10
T J = 25 o C
30
Limited by Package
V GS = 4.5V
R θ JC = 1.8 C/W
T J = 125 o C
20
10
o
1
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
10
10
200
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 μ s
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5
V GS = 10V
4
10
10
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
1ms
10ms
3
2
SINGLE PULSE
R θ JC = 1.8 o C/W
T C = 25 o C
R θ JC = 1.8 C/W
T C = 25 o C
o
DC
10
10
10
10
10
10
0.1
1
10
100
200
10
-6
-5
-4
-3
-2
-1
1
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5353 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5612 | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5505C | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD5612 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD5614P | 功能描述:MOSFET 60V P-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5614P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK SINGLE PCH:ROHS COMPLIANT |
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