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参数资料
| 型号： | FDD5353 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.3 毫欧 @ 10.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3215pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD5353DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
100
3.0
80
60
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
2.5
2.0
V GS = 3V
V GS = 3.5V
V GS = 4V
V GS = 3.5V
V GS = 4.5V
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.5
20
V GS = 3V
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
20 40 60
80
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
40
1.8
1.6
I D = 10.7A
V GS = 10V
32
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = 10.7A
1.4
1.2
1.0
24
16
T J = 125 o C
0.8
0.6
8
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
200
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
100
V GS = 0V
80
V DS = 5V
10
60
T J = 150 o C
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
40
T J = 25 o C
0.1
20
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5353 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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