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参数资料
| 型号： | FDD3N50NZTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.15
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.6
2.4
1.10
2.0
1.05
1.00
1.6
1.2
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.95
0.90
-75 -50
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0 50 100 150
o
0.8
0.4
-75 -50
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 1.25A
0 50 100 150
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
20
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
3.0
10
100 μ s
30 μ s
2.5
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
DC
2.0
1.5
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
1.0
0.5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
800
0.0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
4
0.5
1
0.2
1. Z θ JC (t) = 3.1 C/W Max.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
P DM
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD3N50NZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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