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参数资料
| 型号： | FDD5N50NZFTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.75 欧姆 @ 1.85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | FDD5N50NZFTM-ND FDD5N50NZFTMTR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
10
150 C
-55 C
1
5.5 V
5.0 V
o
o
25 C
1
o
2. T C = 25 C
0.1
0.03
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
25
0.1
3
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 5 6 7
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
50
3.2
2.8
10
150 C
25 C
2.4
V GS = 10V
V GS = 20V
o
o
2.0
1.6
*Notes:
*Note: T C = 25 C
1.2
0
2
4 6 8
I D , Drain Current [A]
o
10
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.6
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
800
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
600
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
C iss
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
400
200
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C oss
C rss
4
2
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
2
*Note: I D = 3.3A
4 6 8
Q g , Total Gate Charge [nC]
10
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50NZF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| FDD5N50TM_WS | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| FDD5N50UTM_WS | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| FDD5N53TM_WS | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| FDD6030L | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N50NZTM | 功能描述:MOSFET UNIFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50TF_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50TM_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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