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参数资料
| 型号： | FDD5N50NZTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150
o
0.0
-100
2. I D = 2A
-50 0 50 100
o
150
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
20
10
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
100 μ s
1ms
10ms
DC
o
o
30 μ s
5
4
3
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
3
1
0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 2 C/W Max.
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50NZ Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5N50TM_WS | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
| FDD5N50UTM_WS | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| FDD5N53TM_WS | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| FDD6030L | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N50TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50TF_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N50TM_WS | 功能描述:MOSFET UniFET 500V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N50U | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0ヘ |
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