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参数资料
| 型号： | FDD5N50UTM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FRFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
1.2
20
10
40 μ s
100 μ s
1.1
1ms
1
10ms
1.0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
1. T C = 25 C
0.9
*Notes:
0.1
*Notes:
o
T J , Junction Temperature [ C ]
2. T J = 150 C
0.8
-75
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-25 25 75 125 175
o
0.01
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
3.5
3
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
3
1
0.5
0.2
1. Z θ JC (t) = 1.4 C/W Max.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
*Notes:
t 1
t 2
o
0.01
10
10
10
10
10
10
10
0.005
Single pulse
-5
-4
-3
-2
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD5N50U Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD5N53TM_WS | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| FDD6030L | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD5N53 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDD5N53TF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5Ω |
| FDD5N53TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD5N53TM_WS | 功能描述:MOSFET N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD5N60NZ | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UniFET II MOSFET 600 V, 4.0 A, 2 Ohm |
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