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参数资料
| 型号： | FDD6635 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6635DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ
Max Units
Off Characteristics (Note 2)
BV DSS
Drain–Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V,
I D = 250 μ A
35
V
Δ BV DSS
Δ T J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
32
mV/ ° C
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage
V DS = 28 V,
V GS = ± 20 V,
V GS = 0 V
V DS = 0 V
1
± 100
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25 ° C
1
1.9
–5
3
V
mV/ ° C
R DS(on)
g FS
Static Drain–Source
On–Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V,
V GS = 4.5 V,
V GS = 10 V,
V DS = 5 V,
I D = 15 A
I D = 13 A
I D = 15 A, T J =125 ° C
I D = 15 A
8.2
10.2
12.4
53
10
13
16
m Ω
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 20 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 15 mV,
V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
1400
317
137
1.4
pF
pF
pF
Ω
Switchin g Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn–On Delay Time
11
20
ns
t r
t d(off)
t f
Q g (TOT)
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge, V GS = 10V
V DD = 20 V,
V GS = 10 V,
I D = 1 A,
R GEN = 6 Ω
6
28
14
26
12
45
25
36
ns
ns
ns
nC
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge, V GS = 5V
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
V DS = 20 V, I D = 15 A
13
3.9
5.3
18
nC
nC
nC
FDD6635 Rev. C2(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
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| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 功能描述:MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDD6637_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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